SKiiP^®テクノロジー

この構造技術の主な利点は、DCB基板（熱膨張係数4.7x10^-6/K）とCuベースプレート(熱膨張係数約17.5ｘ10^-6/K)の間に、広いはんだ付け領域などの接合領域がないことです。従来構造のモジュールで温度変化によって発生するベースプレートとDCB間の寿命に関わる機械的ストレスが発生しません。ベースプレートが無くはんだ層の数が減少することで、チップとヒートシンク間の熱抵抗が低下します。従って、ベースプレートのあるモジュールと比較し、定常動作での電力密度を上げることができます。ベースプレートとセラミック基板間の熱による機械的ストレスが無くなるため、ベースプレートのないモジュールでは非常に大きなDCB基板を使用することができます。これは、従来1枚のベース板上に複数のDCBをはんだ付けし追加部品で接続していたものを1枚のDCBに置き換えることができます。

Semikron Danfossでは、SKiiPテクノロジーを様々な製品ファミリーに使用し、モジュール内の出力端子や制御端子を組み合わせて使用しています。