第七世代IGBT

パワーエレクトロニクスの新たな主力

最新世代IGBTチップテクノロジー

最新第7世代IGBTは650V, 950V, 1200Vおよび1700Vの定格電圧があります。

第7世代IGBTは、汎用インバータ向けに設計されています。セミクロンダンフォスでは、IGBT T7とIGBT M7の2種類の第7世代IGBTを採用しています。この2つの第7世代IGBTは、従来に比べ大幅に低いVCE(sat),及び最適化されたスイッチング特性を有します。従来品に比べ約25%チップサイズを小さくすることにより、同一パッケージでさらに大きな定格電流を設定することができます。更に、第7世代IGBTは、耐湿性能が向上しており、過酷な環境下での信頼性が更に向上します。

アプリケーションでは、1200V 第 7 世代 IGBT は電力損失の低減、または最大出力と電力密度の増加を実現します。これは、システムコストの低減につながります。第7世代IGBTモジュールは、従来のモジュール同様、CIB、6in1、2in1のラインアップです。小/中容量では、IGBT T7チップが適しており、MiniSKiiP, SEMITOP E1/E2のパッケージから選択できます。大容量では、IGBT M7が適しており、SEMiX3 press-fit, SEMiX 6 press-fitのパッケージから選択できます。大電力システムの場合、SEMITRANS 10はIGBT M7を備えた3レベルスプリットNPC (中性点クランプ) 構成で利用できます。

950V IGBTは太陽光発電向けに設計されたチップで、特性の異なるS7およびL7があります。S7は低スイッチング損失特性チップで、L7は低VCE(sat)チップです。S7、L7チップはそれぞれの特性を生かし、3レベル回路、ANPC(Active Neutral Point Clamp)回路の最適な位置に組み込まれることによって、最高の性能を発揮する事ができます。950V耐圧により、1500VDCまでの太陽光発電、蓄電システム(ESS)に対応します。