SiCパワーモジュール

ハイブリッドSiCモジュール：
電力損失半減、スムーズな導入

• IGBTスイッチとSiCショットキーフリーホイールダイオードの組み合わせ
• ダイオードのスイッチング損失がほぼなく、IGBTのターンオン損失も大幅に低減
• 高速IGBTとSiCショットキーダイオードの組み合わせにより、スイッチング損失が半減
• トータルシステムコスト削減の最適ソリューション：
  ドライバーおよびシステム設計の変更が不要；面積が小さく、コストパフォーマンスに優れたSiCチップ 高効率、高スイッチング周波数

応用例：ソーラーインバータ、蓄電システム、電気自動車用大電力充電ステーション、高効率高速インバータ

SiC MOSFETモジュール：
優れた効率と特性

• 最大スイッチング周波数での卓越した効率.
• 最新のSiC MOSFET技術
• お客様の要件に対応した最適化チップセット
• SiCショットキーフリーホイールダイオードあり/なし

応用例：ソーラーインバータ、電鉄車両用補助電源、スポーツカーおよびレーシングカー

SEMITOP E1/E2MOSFET SiCラインアップは、最新のSiC MOSFET (第3世代)で3種類の回路構成：6in1、2in1、4in1があります。

SEMITOP E2 2in1は2つのピン配列があります。

• ピン配列1は他社互換で、チップはマルチソースです。
• ピン配列2はPCB設計、パワーモジュールの並列接続が容易になるように最適化されています。 

SEMITOP E1/E2 SiCはオン抵抗R_DS(on)温度係数が低く、モジュールパッケージの低熱抵抗との組み合わせにより、最大の性能をもたらします。R_DS(on)温度係数は0.1mΩ/Kです。

全てのモジュールは低インダクタンスにより、高速スイッチング時にも高性能および安定動作を示す様に設計されています。入力容量とミラー容量の比（c_{iss / crss）の値が高く、寄生ターンオンから保護できます。}