フルシリコンカーバイドパワーモジュール
SiC MOSFET搭載パワーモジュール
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最高レベルの出力と効率
セミクロンダンフォスは、SEMITOP、SEMITRANSパッケージのフルSiCモジュールをご提供します。トップサプライヤーのSiC MOSFETを採用し、高いスイッチング周波数、最小の電力損失、最大効率の組み合わせにより、高電力密度を実現します。
スイッチング周波数が高いと、受動フィルター部品を大幅に削減できます。同時に電力損失も削減され、結果として冷却の必要性が減り、ヒートシンクが小さくなります。どちらの利点も、システム全体のコストを大幅に削減します。
フルSiCパワーモジュールは20A～540A/1200Vおよび1700Vに対応します（逆並列フリーホイールショットキーダイオード有り/無し）。6パック、2 in 1、およびバイパスダイオードを含むブーストコンバータがあります。
SiC MOSFETモジュール製品ラインアップに加えて、セミクロンダンフォスはSEMIPACK およびSEMITOP2ハウジングで、低損失整流のシングルSiCショットキーダイオードもご提供しています。