アプリケーションマニュアル パワー半導体
465ページに及ぶパワー半導体に関する知識
アプリケーションマニュアル パワー半導体
パワーモジュールにおけるIGBTとMOSFETは、現在のパワーエレクトロニクス回路の中心的な構成要素であり、継続的に新しい応用分野への使用が拡大されています。ライン整流ダイオードやサイリスタは、回路を送電網につなぐ費用対効果が高く、かつてなく需要が高まっています。このアプリケーションマニュアルの目的は、こうしたデバイスの選択や利用に関してユーザーをサポートすることです。
465ページに及ぶパワー半導体に関する知識
このマニュアルには、アプリケーションの可能性と限界をより良く理解するために必要とされる、半導体物理学に関する基本的な説明および背景情報を収録しています。マニュアルの大セクションには、さまざまなパッケージ技術の説明が含まれており、フィールドアプリケーションでのモジュールの特性と評価に対するさまざまな影響が記載されています。 このセクションは、構成要素の信頼性と耐用年数、および関連するテスト手順に関する説明で締めくくられます。
このマニュアルでは、データシートの構造についても説明し、データシートの仕様を解釈する際に役立つヒントをご提供します。 マニュアルでは重要な焦点として、部品選定とアプリケーションの選択で考慮すべきアプリケーション固有の特性試験について述べています。 例えば、半導体のドライバーや保護の要素、熱量と冷却、並列および直列の接続に関するヒント、最適な電力レイアウトを実現するための寄生パラメータに関する組み立てのヒント、特定の周囲条件から生じる要件などの詳細なアプリケーション関連情報が収録されています。
このマニュアルはユーザーのために書かれており、構成要素部品選定や設計作業に欠かせない一冊です。
序文より
IGBT および MOSFET パワーモジュールの最初のアプリケーションマニュアルが発行されて以来、これらの構成要素は化石燃料の効率的な使用、環境負荷低減、回生エネルギー源利用の増加などのニーズの高まりによって、多くの新しいアプリケーションに採用されています。 一般的な開発トレンド (小型化、低コスト、高効率) と新しいアプリケーション分野 (過酷な条件下での分散型アプリケーションなど) への応用により、最先端のパワー半導体デバイスにはより厳しい新要件が求められます。このため、本マニュアルではパワー半導体アプリケーションに関し、以前のマニュアルよりも詳細に、30 年以上前のセミクロンのマニュアルで最後に詳述された整流ダイオードとサイリスタについても記載しています。
このマニュアルは主にユーザーを対象としており、これまで多くの個別記事や論文に掲載された情報を統合することを目的としています。また必要に応じ、主題をよりよく理解し、明確にするために理論的背景を簡潔にご説明しています。 このマニュアルの参考文献で引用されている理論的洞察のいくつかは、さまざまな教科書や推奨関連書にも提供されています。
セミクロンの豊富な経験と専門知識がこのアプリケーションマニュアルに反映されており、IGBT、MOSFET、ダイオードに適したパワー半導体、およびモジュール単体またはディスクリート形式の整流ダイオードとサイリスタについて、ユーザーにわかりやすく説明されています。 これらの構成要素の特性に基づき、マニュアルはデータシートおよびアプリケーションノートの活用方法と解釈に関するヒントをご提供し、冷却、電源レイアウト、ドライバー技術、回路保護、並列および直列接続、使用方法、およびソフトスイッチングアプリケーションのトランジスタ使用方法についても説明しています。