多个货源采购采用ROHM 1200V RGA IGBT
可替代IGBT 7功率模块，适用于工业电机驱动领域
随着全球电气化的快速发展，对功率模块的需求已经达到了前所未有的程度，芯片的供应经常限制了功率模块的供应。有鉴于此，赛米控丹佛斯与ROHM合作，采用ROHM新的1200V RGA IGBT芯片，结合工业标准外壳的封装，可实现真正的IGBT 7功率模块替代。
Semikron Danfoss and ROHM Semiconductor: Partners in Power
As the largest chip-independent manufacturer of power modules, Semikron Danfoss merges the latest semiconductor devices with advanced packaging. Strong partnerships with a variety of chip manufacturers have enabled us to supply the optimal product for individual market requirements.
For years, ROHM has been a trusted partner to Semikron Danfoss for the supply of both silicon and silicon carbide devices. This strong partnership essentially provides an example of vertical integration in the supply chain by joining chip supply and module production. It allows us to provide powerful alternative sourcing possibilities to the popular Generation 7 IGBTs. For wide bandgap devices, engineers can enjoy new degrees of design freedom with latest 4th generation ROHM SiC MOSFETs implemented in the proven SEMITOP E, MiniSKiiP and SEMITRANS packages from Semikron -Danfoss.
产品特性
- 新设计的1200V、沟槽栅极、弱穿通IGBT，Tj,max= 175°C
- 特别适用于中低功率的工业电机驱动应用
- 高峰值电流承载能力
- 耐湿性强
- 热阻低
- 真正的多源替代IGBT 7的功率模块
性能表现
1200V ROHM RGA IGBT，与第七代IGBT 芯片 一样，表现出低导通压降的特性。通过适当调整栅极电阻，开关特性表现非常接近。优化的芯片尺寸意味着RGA在1...10kHz的电机驱动应用中具有卓越的散热性能.
相关产品
赛米控丹佛斯可以提供ROHM 1200V RGA IGBT，其额定电流等级从10A到150A的功率模块。首批采用RGA的MiniSKiiP产品将提供三相全桥（"AC"）和整流器-逆变器-制动器（"NAB"）拓扑结构，可以对IGBT 7模块进行引脚兼容替换。MiniSKiiP畅销20年，其可靠性在电机驱动应用中得到了很好的验证。最新的迭代产品带有预涂的高性能导热硅脂（HPTP）。
针对PCB连接采用press-fit引脚或焊接方式的应用，行业标准的SEMITOP E系列将提供三相全桥（"GD"）和整流器-逆变器-制动器（"DGDL"）拓扑结构。SEMITOP E封装与其它工业标准产品完全兼容，并具有独特的压接设计以及卓越的散热性能。SEMITOP E可提供预涂HPTP或赛米控丹佛斯独有的（HP-PCM），以方便装配。
在赛米控丹佛斯功率模块中，使用1200V RGA IGBT芯片将以 "12RA "命名，例如，额定电流为35A的MiniSKiiP CIB模块将被命名为SKiiP 24NAB12RAV1。