SEMITOP® E1/E2
Standards übertreffen für ausgezeichnete Leistung und Liefersicherheit
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SEMITOP® E1/E2 – bis 200 kW
Das SEMITOP E1/E2 Design bietet eine Alternative zu den etablierten Industriestandard-Gehäusen bis herunter auf die Chipebene - im Interesse sicher Lieferketten. Hervorragendes thermische Eigenschaften, kombiniert mit einem niederinduktiven Design, machen die SEMITOP E1/E2 zu perfekten Leistungsmodulen für die neuesten Si- und SiC-Chiptechnologien.
SEMITOP® E1/E2 Vorteile
SEMITOP E1/E2 ist die logische Weiterentwicklung der SEMITOP Classic Plattform in einem nochmals verbesserten Gehäuse mit optimierter Grundfläche, einer extrem flexiblen Architektur und hochperformenden Lösungen bei optimierten Systemkosten.
Modernste Si- und SiC-Chiptechnologien integriert, adressiert SEMITOP E1/E2 das anspruchsvolle Umfeld, in dem hohe Leistung, Innovation, Qualitätsstandards und Kosten die entscheidenden Erfolgsfaktoren sind.
SEMITOP E1/E2 wurde als Erweiterung der SEMITOP Classic Plattform entwickelt und bietet ein Höchstmaß an Flexibilität und Leistungsdichte, so dass die Plattform Anwendungen bis zu 200 kW abdecken kann. SEMITOP E ist in zwei Gehäusegrößen, E1 und E2, verfügbar, jeweils kompatibel mit dem Industriestandard-Gehäusen des Wettbewerbs.
SEMITOP® E1/E2 Hauptmerkmale
- 12 mm Höhe
- Leistungsmodule ohne Bodenplatte
- Press-Fit- oder Lötanschlüsse
- Zwei-Schrauben-Montage für einfaches Design
- Optimiertes Design für überragende thermische Eigenschaften
- Extrem flexibles Pin-Layout
- Niederinduktives Moduldesign
- Mit vorapplizierter Wärmeleitpaste erhältlich
SEMITOP® E1/E2 Anwendungen
Die SEMITOP E1/E2 Plattform ist für den unteren und mittleren Leistungsbereich bis 200 kW konzipiert. Durch die hohe mögliche Leistung und das niederinduktive Design in Kombination mit den neuesten Chiptechnologien eignen sich die SEMITOP E1/E2 für verschiedene Märkte wie USV, Solar, Energiespeicherung, Motorantriebe, Stromversorgungen und den Markt der Ladestationen für Elektrofahrzeuge.
SEMITOP® E1/E2 Produktspektrum
Das SEMITOP E1/E2-Portfolio umfasst Si- und SIC-Dioden, schnelle 650V/1200V-IGBTs und sowohl Si- als auch SiC-MOSFETs. Innerhalb der SEMITOP E1 und E2 Familie ist eine große Auswahl an Konfigurationen möglich. Von Standard-Topologien bis hin zu kundenspezifischen Lösungen werden unterschiedlichste Marktanforderungen erfüllt:
- 3-Level NPC Topologie (ein- und dreiphasig)
- 3-Level ANPC Topologie
- 3-Level TNPC Topologie (ein- und dreiphasig)
- 3-Level Split-NPC/ANPC Topologie
- Boost-Chopper
- 3-Phasen-Wechselrichter (Sixpack)
- Brückengleichrichter
- SiC MOSFET und Hybrid-SiC-Konfigurationen
- Kundenspezifische Modultopologien
SEMITOP® IGBT Module
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- Product Type
- Product Line
- VCES in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
- Product Status
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SEMITOP® SiC-MOSFET-Module
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- VDS in V
- ID in A
- Switches
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SEMITOP® MOSFET Module
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- Product Type
- Product Line
- VDS in V
- ID in A
- Switches
- Product Status
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SEMITOP® Brückengleichrichter Module
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- Product Type
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- VRRM / VDRM in V
- ID in A
- IFSM / ITSM in A
- Switches
- Product Status
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Industriestandard-Gehäuse mit überlegener Performance
Breites Produktportfolio
- Umfassendes Portfolio für 2-Level- und 3-Level-Anwendungen
- Breites Anwendungsspektrum (USV, Energiespeicher, Solar, Antriebe, EV-Ladestationen)
- Chips von unterschiedlichen Herstellern
Neueste Produkttechnologie
- Modernste Silizium- und SiC-Technologie
- Niederinduktives Design (hinunter bis 4 nH)
- Extreme Flexibilität für komplexe Konfigurationen
- Kundenspezifische Designs
Überragende thermische Eigenschaften
![Thermischer Widerstand R<sub>th,j-s</sub> [K/W] mit Standard-Wärmeleitpaste](https://static2.semikron-danfoss.com/fileadmin/content/Products/Product_Lines/SEMITOP_E1E2/SEMIKRON_SEMITOP-E1-E2_Thermal-resistance-comparison.png "Thermischer Widerstand R<sub>th,j-s</sub> [K/W] mit Standard-Wärmeleitpaste")
- Optimiertes Design für sehr niedrigen thermischen Widerstand
- Niedrigerer Tj für höheren Wirkungsgrad und längere Lebensdauer