SEMITOP® E1/E2
超越标准
SEMITOP® E1/E2 – 可达200kW
SEMITOP E1和E2提供芯片级的统一标准工业封装替代方案，以确保供应链安 全。SEMITOP平台提供更高的模块性能和低电感封装，可集成最新的高性能硅和碳化硅芯 片。
SEMITOP® E1/E2优势
SEMITOP E1和SEMITOP E2可满足客户对安全供应链的需求。出色的散热表现加之低电感设计使SEMITOP E1和E2非常适合最新的Si和SiC芯片技术。
SEMITOP® E1/E2代表了SEMITOP平台高性能封装水平的自然演进，优化的封装，非常灵活的架构和高性能为优化了系统成本提供了解决方案。
集成了最新的Si和SiC芯片技术，SEMITOP E1/E2可以提供一个有竞争力的平台。当高性能，创新，质量标准和成本是关键的制胜因素时，SEMITOPE1/E2是最优的解决方案。
作为SEMITOP® Classic 系列的延伸，SEMITOP® E1和E2将灵活性和功率密度推向极限，使平台能够覆盖高达200kW的应用。SEMITOP® E有两种不同的外壳尺寸，E1和E2，提供了两种不同的封装。
SEMITOP® E1/E2关键特性
- 12mm模块高度
- 无铜底板设计
- Press-fit或焊接端子
- 双螺钉简易安装理念
- 最优的封装，优越的热性能
- 灵活的架构
- 低杂散电感设计
- 可预涂导热硅脂
SEMITOP® E1/E2应用
SEMITOP E1和E2设计用于70kW以下的中低功率范围，覆盖、完善 并提升了SEMITOP 1、2、3、4的功率等级。紧凑结构和低电感设计 加上最新的芯片技术，使得SEMITOP E1和E2适用于不同市场，如 UPS、太阳能、储能、 电机驱动器、电源和电动汽车充电桩市场。
SEMITOP® E1/E2产品范围
SEMITOP E1/E2组合集成了Si和SIC二极管，快速650V/1200V IGBT，以及Si和SiC MOSFET。SEMITOPT E1/E2可以提供多种配置，从标准拓扑到定制解决方案。
- 三电平中性点夹(NPC)，单相和3相
- 三电平有源中性点夹钳(ANPC)
- 三电平T型NPC(TNPC)，单相和3相
- 三电平分体式NPC/ANPC
- 升压斩波器
- 三相全桥逆变器(Sixpack)
- 变流器-转换器-制动器
- 桥式整流器
- SiC和混合的SiC配置
- 根据具体要求定制配置
SEMITOP® IGBT模块
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- VCES in V
- ICnom in A
- Switches
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SEMITOP®全碳化硅功率模块
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SEMITOP® MOSFET模块
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SEMITOP®桥式整流器模块
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- IFSM / ITSM in A
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工业标准结合卓越性能
广泛的产品系列
- 适合二电平和三电平应用的全面产品系列适用于广泛的应用如UPS、储能、 太阳能、 电机驱动、电动汽车充电系统
- 芯片采购渠道多样化
最先进的产品
- 最新硅和碳化硅技术
- 低电感设计 降至4nH
- 相当大的设计灵活性
- 集成SMD元件（NTC、分流、电容、栅极电阻）可根据客户需求定制
优越的热性能
![热阻R<sub>th,j-s</sub> [K/W]，带标准热脂](https://static2.semikron-danfoss.com/fileadmin/content/Products/Product_Lines/SEMITOP_E1E2/SEMIKRON_SEMITOP-E1-E2_Thermal-resistance-comparison.png "热阻R<sub>th,j-s</sub> [K/W]，带标准热脂")
- 优化的模块设计，实现极低的热阻
- 更低的Tj可实现更高的效率和更长的寿命