功率模块的构建和连接技术
功率模块构建和连接技术的开拓者
作为功率模块构建和连接技术的开拓者，赛米控丹佛斯在1975年推出了全球第一款带双极芯片的绝缘功率半导体模块。创新的精神一直延续至今，赛米控丹佛斯相继推出创新的封装技术、生产技术和先进的电力电子产品。
持续发展
1989年开发了第一款绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 标准模块。如今的IGBT结构仍与原始组装方法密切相关。一个或多个陶瓷板DCB（直接铜绑定Direct Copper Bond）焊接到铜底板上， 铜底板也是散热器的安装表面。DCB包含一个两侧喷涂有铜的Al2O3或AlN薄绝缘基板。
芯片的底面焊接到DCB顶部（IGBT：集电极，二极管：通常为阴极）。平行的铝绑定线将芯片顶部（IGBT：栅极和发射极，二极管：阳极）连接到DCB基板相应的衬垫上。有的模块端子直接焊接到这些衬垫上，也有很多端子采用焊接连接或绑定连接机械固定在模块外壳中。
功率模块构建和连接技术之所以不断发展，一方面源于生产和加工模块的成本控制措施，另一方面是出于对模块性能不断增长的需求。
这包含对半导体静态负载和短期负载的极佳散热。功率模块通过高效冷却能得到有效利用，高效冷却是获得大功率及最低成本半导体的"必要条件"。因此IGBT和二极管芯片的容许温度一代比一代高，而芯片很高的运行温度和高效的散热能力又提高了对模块设计的温度及功率循环能力要求。这就要求不断开发新型构建和连接技术。
赛米控丹佛斯凭借用于功率模块的"SKiiP®"、SPRiNG、"SKiNTER"、"SSS"和"DSS"技术，当之无愧成为这一领域技术发展领先企业之一。
