全碳化硅功率模块

碳化硅MOSFETs功率模块

最高的输出功率和效率  

赛米控丹佛斯提供全碳化硅模块，采用SEMITOP和SEMITRANS封装。由于采用领先供应商提供的SiC MOSFET，可实现高开关频率、最小损耗和最高效率。同时也提供了优异的功率密度。

开关频率的提高意味着无源滤波元件使用的大幅减少。同时，功率损耗也降低了，从而使散热器更小，总体上减少了冷却需求。这两个优势都会使整个系统成本大大降低。

全碳化硅功率模块涵盖20A至540A电流范围（1200V电压和1700V），提供带或不带反并联肖特基续流二极管的型号。其标准配置有三相全桥拓扑、半桥拓扑和带有旁路二极管的boost拓扑。

除了SiC MOSFET模块组合，赛米控丹佛斯还提供SEMIPACK和SEMITOP封装的单SiC肖特基二极管，以确保低损耗整流应用。