第7代IGBT

最新一代IGBT芯片技术

第7代IGBT有650V、950V\1200V和1700V电压等级，代表了最新的IGBT芯片技术。

新的1200V IGBT是专门为满足电机驱动应用的要求而设计的。在赛米控丹佛斯，它们有两个供应商，即T7和M7。这两种IGBT都具有显著降低的正向压降，并提供优化的开关性能。由于在相同的标称电流下，芯片体积小了约25%，因此可以将更高的额定电流装入现有的电源模块封装中。此外，所有第7代IGBT都具有改进的湿度鲁棒性，进一步提高了恶劣环境条件下的可靠性。

在应用中，1200V IGBT第7代可降低功率损耗或提高最大输出功率和功率密度，从而转化为更低的系统成本。在电机驱动方面，第7代IGBT也应用于传统的驱动拓扑结构中。CIB(转换器-逆变器-制动器)、三相全桥和半桥的拓扑结构。对于中低功率驱动，MiniSKiiP和SEMITOP E1/E2的IGBT T7是首选。对于中功率等级，IGBT M7可用于SEMiX 3 Press-Fit和SEMiX 6 Press-Fit。对于高功率等级，使用M7芯片的SEMITRANS 10应用于三电平 split-NPC 拓扑。更多的功率模块将陆续推出。

950V IGBT 7是专门为光伏应用设计的，有两种不同的芯片特性，S7和L7。S7表现出最低的开关损耗，而L7芯片则是为极低的正向压降而设计的。这两款芯片都能与复杂的三电平拓扑结构（如ANPC（主动中性点箝位））完美结合。有了这两款芯片，它们可以服务于直流母线电压高达1500V的太阳能和储能系统应用。