混合碳化硅功率模块

IGBT和碳化硅肖特基二极管混合功率模块

混合碳化硅模块：效率更高，易于使用

赛米控丹佛斯提供MiniSKiiP、SEMITOP、SEMITRANS、SEMiX和SKiM93封装的混合碳化硅功率模块。最新的IGBT技术与领先供应商的SiC肖特基二极管相结合，在提高开关频率的同时降低了功率损耗。使用混合型碳化硅模块，系统设计所需的改动极小，同时可以实现碳化硅特性。

混合碳化硅功率模块涵盖50A至600A电流范围（1200V电压），采用三相全桥、半桥和斩波器拓扑结构。

碳化硅肖特基续流二极管几乎没有开关损耗，IGBT的开关损耗也显著降低。在与标准或高速IGBT结合使用时，可以在相同的模块封装中实现更高的开关频率。这一点，有效地降低了太阳能逆变器、UPS系统或高频电源等输出侧的滤波器需求。还可以实现比标准硅功率模块更高的输出功率，这对于电机驱动来说很有意义。