SEMITOP® E1/E2
卓越した性能
SEMITOP® E1/E2 – 最大200kW
サプライチェーンの安全性のために、チップレベルに至るまで統一された業界標準パッケージにより、SEMITOP E1およびE2は新たな選択肢をご提供します。SEMITOPプラットフォームは熱的特性が向上し、低インダクタンスケースに より、最新の高性能SiチップおよびSiCチップの搭載が可能です。
SEMITOP® E1/E2 利点
SEMITOP E1/E2は、SEMITOPのラインアップ拡充に伴い開発されました。最適化されたシステムコスト、最高のフットプリント、自在な構造および高性能ソリューションをご提供します。
最新のSiおよびSiCチップ技術を用いたSEMITOPE1 / E2は、競争力のあるプラットフォームを提供します。 高性能、革新性、品質基準、およびコストが重要な要因となるパワーモジュールに最適です。
SEMITOP Eは、電力密度と自在性が大きく向上し、プラットフォームが最大200kWのアプリケーションに適します。 SEMITOP Eは、E1とE2の2つの異なるハウジングサイズで、業界標準パッケージと互換性があります。
SEMITOP® E1/E2 主な特長
- モジュール高さ12mm
- ベースプレートなし
- プレスフィットおよびはんだ端子
- 2 本のネジによるシンプルな組付け方式
- 優れた熱的特性の最適化デザイン
- 自在性の高いピン配置
- 低インダクタンス設計
- TIM事前塗布品もご提供あり
SEMITOP® E1/E2 用途
SEMITOP E1 およびE2ファミリー は最大200kW の低/ 中出力範囲向けに設 計されています。SEMITOP E1 およびE2 は、小型で低インダクタンスな 設計と最新のチップ技術により、UPS、太陽光、エネルギー貯蔵、汎用インバータ、電源、EVバッテリー充電器など、さまざまな 市場に適します。
SEMITOP® E1/E2 製品ラインアップ
SEMITOP E1 / E2は、SiおよびSICダイオード、高速650V / 1200V IGBT、およびSiとSiCMOSFETの両方でご提供しています。SEMITOP E1 およびE2 は、標準回路構成からカスタムソリューションまで、自在な構成が可能です。
- 3レベルNPC、単相および三相
- 3レベルANPC
- 3レベルTNPC、単相および三相
- 3レベルスプリットNPC/ANPC
- ブーストチョッパー
- 三相インバータ(6in1)
- CIB(コンバータ-インバータ-ブレーキ)
- ブリッジ整流器
- フルおよびハイブリッドSiC構成
- カスタム回路構成
SEMITOP® IGBT モジュール
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- Product Type
- Product Line
- VCES in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
- Product Status
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SEMITOP®フルシリコンカーバイドパワーモジュール
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- Product Type
- Product Line
- VDS in V
- ID in A
- Switches
- Product Status
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SEMITOP® MOSFET モジュール
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- VDS in V
- ID in A
- Switches
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SEMITOP®ブリッジ整流器モジュール
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- Product Type
- Product Line
- VRRM / VDRM in V
- ID in A
- IFSM / ITSM in A
- Switches
- Product Status
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産業標準×高性能の融合
幅広い製品ラインアップ
- 2レベルおよび3レベルアプリケーション向けの幅広い製品ラインアップ
- 幅広いアプリケーション適用(UPS、エネルギー貯蔵、太陽光、ドライブ、EV充電)
- マルチソースのチップ選択
最先端の製品
- 最新のSiおよびSiC技術
- 低インダクタンス設計(4nHまで)
- 優れた設計の自在性
- SMDコンポーネント(NTC、シャント、コンデンサ、ゲート抵抗)の搭載
- カスタム構成可能
卓越した熱特性
- 最適化設計による低熱抵抗
- 低Tjにより高効率、長寿命