SEMITRANS® Classic
高速スイッチング、大出力、 高信頼パッケージ
SEMITRANS® Classic – 25kW～500kW
SEMITRANS Classicは、銅ベースプレートと電力接続用のネジ端子を備えた堅牢な産業標準パッケージです。低インダクタンス設計で25kW～500kWのインバータに適用可能です。 IGBTマルチソースとCALダイオードにより 、モジュールの最大定格は900A、1700Vです 。SiCモジュールは、ハイブリッドSiCフリーホイールダイオード付き/なしのフルSiCモジュール、あるいはIGBTとSiCフリーホイールダイオードのハイブリッドSiCモジュールがご利用いただけます。 市場で25年以上の実績を誇るSEMITRANSパッケージは、実績のある確立された製品です。
SEMITRANS® Classic 利点
- 堅牢な産業標準パッケージ
- IGBTマルチソース
- 幅広い製品ラインアップ
- SiCMOSFETおよびハイブリッドSiCモジュール
SEMITRANS® Classic 主な特長
- IGBT 定格電圧600V、650V、1200V、1700V、定格電流50A～900A
- 定格電圧1200V、1700V、定格電流200A～500AのSiCモジュール
- 2in1、1in1、チョッパー、マルチレベル、6in1、およびエミッタコモンの回路構成
- DBCを用いた絶縁銅ベースプレート（一部SiCモジュールにAlN AMBを採用）
- 高絶縁耐圧
SEMITRANS® Classic 用途
試行錯誤を重ね十分な検証を経たこのパッケージは、回生インバータや電源などの幅広い用途に設計されています。 製品寿命が長く、大電力用途に最適です。
SEMITRANS® Classic 製品ラインアップ
SEMITRANS ClassicおよびSiCモジュールは、幅広い回路構成と出力範囲に対応しています。定格電圧は600V～1700V、定格電流は50A～900Aです。 SEMITRANSパッケージには、2in1、1in1、チョッパー、マルチレベル、およびエミッタコモンの回路構成があります。
幅広い製品ラインアップ
- 定格電流50A～900A、5つのケースサイズ、多様な回路構成
- あらゆる用途に適合
SEMITRANS® IGBTモジュール
Filter
- Product Type
- Product Line
- VCES in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
- Product Status
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SEMITRANS® フルSiC
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- VDS in V
- ID in A
- Switches
- Product Status
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SEMITRANS® ハイブリッドSiC
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- Product Type
- Product Line
- VCE in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
- Product Status
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新リリース製品
SEMITRANS 2 および 3 IGBT第7世代 M7
- 低順方向電圧降下
- 高耐湿
- IGBT M7チップマルチソース
- 2in1 (GB) および エミッタコモン (GM) タイプ
- 汎用インバータ, UPS, 太陽光および蓄電システム, 電源, 溶接
ソーラー、蓄電システム、電源およびUPS用SEMITRANS 3 モジュール
- IGBT4 (12E4/12T4) および第7世代 (12M7)チップセットを含む 1200Vモジュール
- 導通損失低減に最適化されたフリーホイールダイオード
- 2in1 (GB) およびエミッタコモン (GM) 用スプリット TNPC トポロジ
- 業界標準パッケージ (完全互換)
SEMITRANS 2 650Vタイプ拡張ラインナップ
- 650Vラインナップを低電流クラスにも拡張
- 2in1 (GB) タイプ
- 600V IGBT 2 (“063”シリーズ)後継品
- 汎用インバータ, UPS, , 電源, 溶接/カッティング
SEMITRANS 2 および 3
データシート
| 新製品 | サンプル提供開始 |
|---|---|
| SEMITRANS 3 | SEMITRANS 2 |
| SKM300GB12M7 | SKM75GB12M7 |
| SKM400GB12M7 | SKM100GB12M7 |
| SKM460GB12M7 | SKM150GB12M7 |
| SKM460GM12M7 | SKM200GB12M7 |
| SKM600GB12M7 | SEMITRANS 3 |
| SKM600GM12M7 | SKM150GB12M7G |
| SKM200GB12M7G | |
| SKM800GB12M7 |
| 新製品 | サンプル提供開始 |
|---|---|
| SKM450GB12E4D1 | SKM600GB12M7D1 |
| SKM450GB12T4D1 | SKM800GB12M7 |
| SKM600GB12E4D1 | SKM800GM12M7 |
| SKM600GM12E4D1 | |
| 新製品 | サンプル提供開始 |
|---|---|
| SKM75GB07E3 | - |
| SKM100GB07E3 | - |
| SKM150GB07E3 | - |
高速スイッチング SEMITRANS SiC モジュール
ハイブリッド SiC SEMITRANS 3 モジュール
(IGBT4 & SiC ダイオード)
- 62mm 2in1
- 1200V, 200A IGBT4 & 1200V, 80A あるいは160A SiC ショットキーダイオード
- 低インダクタンス設計
- 高信頼性のパッケージ
フル SiC SEMITRANS 3 モジュール
(SiC MOSFET ボディダイオード使用)
- 62mm 2in1
- 1200V/350A & 500A, 1700V/260A SiC MOSFET
- 高湿度耐性Rohm 第2世代SiC MOSFET チップ
- 一部モジュールにAlN AMBを採用
- 低インダクタンス設計
- 高信頼性のパッケージ
フル SiC SEMITRANS 3 モジュール
(SiC MOSFET およびハイブリッドSiC ダイオード )
- 62mm 2in1
- 1200V/350A, 1700V/260A SiC MOSFET
- 高湿度耐性Rohm 第2世代 SiC MOSFET および ショットキーダイオードチップ
- モジュールにAlN AMBを採用
- 低インダクタンス設計
- 高信頼性のパッケージ